

技术资料
制造商零件编号:2SK3738-TL-E
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 40V
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
漏源极电压 (Vdss):40V
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):50?A @ 10V
漏极电流 (Id) - 最大值:1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.3V @ 1?A
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1.7pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:SMCP
功率 - 最大值:100mW
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