

技术资料
原厂标准完整型号: ECH8411-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 16 毫欧 @ 4A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 21nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1740pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
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