

技术资料
原厂标准完整型号: ECH8690-TL-H
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 60V ECH8
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.7A,3.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 55 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 955pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
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