

技术资料
制造商零件编号:ECH8695R-TL-W
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH DUAL 2.5V SOT28
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:SOT-28FL/ECH8
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