

技术资料
原厂标准完整型号: EFC6612R-TF
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,无引线
供应商器件封装: 6-CSP
专业从事代理分销安森美半导体EFC6612R-TF,常备EFC6612R-TF大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商