

技术资料
原厂标准完整型号: EMH2417R-TL-H
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 10 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SOT-383FL,EMH8
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