

技术资料
原厂标准完整型号: FW216A-TL-2W
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压(Vdss): 35V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 64 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 280pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.2W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
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