制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

封装：8-SOIC

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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制造商零件编号：MMDF2C03HDR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A，3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 24V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

专业从事代理分销安森美半导体MMDF2C03HDR2G,常备MMDF2C03HDR2G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

MMDF2P02HDR2

MMDF3N02HDR2G

MMDFS6N303R2

MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2

NCP308SN090T1G

NSA5.0AFT3G

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MMSZ18ET1

MMBTA20LT1G