制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 单

规格：MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

封装：TO-252-3，DPak

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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原厂标准完整型号: NDDL01N60ZT4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 800mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 15 欧姆 @ 400mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 4.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 92pF @ 25V

功率 - 最大值: 26W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: DPAK

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NDDL01N60Z-1G

AMIS42670ICAH2G

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MPTE-010

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