技术资料
原厂标准完整型号: NSV60100DMTWTBG
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: DUAL TRANSISTOR PNP
系列: -
晶体管类型: 2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 500mA，2V
功率 - 最大值: 2.27W
频率 - 跃迁: 155MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-WDFN（2x2）
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