NTLGD3502NT2G|安森美半导体(ON)代理分销

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：场效应管阵列

规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

封装：6-DFN

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

（您可通过电话、邮件或QQ联系销售报价）

NTLGD3502NT2G技术资料下载

技术资料

制造商零件编号：NTLGD3502NT2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，3.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 4.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V

功率 - 最大值：1.74W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN（3x3）

专业从事代理分销安森美半导体NTLGD3502NT2G,常备NTLGD3502NT2G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.

更多功能相关的安森美半导体产品

购买ON安森美半导体芯片可信赖的安森美代理商