

技术资料
制造商零件编号:NTLJD2104PTAG
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):467pF @ 6V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-WDFN(2x2)
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