

技术资料
原厂标准完整型号: NVGS5120PT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 111 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 18.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 942pF @ 30V
功率 - 最大值: 600mW
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
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