制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)

类目：FET - 阵列

规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

封装：*

（只做ON原装正品）

库存类型：国内现货 | 海外库存

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原厂标准完整型号: NVJD5121NT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 295mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 26pF @ 20V

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NVJD4401NT1G

MLD2N06CLT4G

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1SMB6.0AT3

MM5Z5V6T1G

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