技术资料
原厂标准完整型号: VEC2616-TL-H-Z
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A，2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 80 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 505pF @ 20V
功率 - 最大值: 1W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *
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